Trisylilamine derivative for plasma-assisted fabrication of SiCN:H copper diffusion barrier with reduced value of permittivity

Trisylilamine derivative for plasma-assisted fabrication of SiCN:H copper diffusion barrier with reduced value of permittivity Научная публикация

Журнал

Thin Solid Films
ISSN: 1879-2731 , E-ISSN: 0040-6090

Вых. Данные

Год: 2026, Том: 836, Номер статьи : 140871, Страниц : 12 DOI: 10.1016/j.tsf.2026.140871

Авторы

Ermakova Evgeniya ¹ , Shayapov Vladimir ¹ , Saraev Andrey ² , Maximovsky Eugene ¹ , Kirienko Viktor ³ , Sulyaeva Veronica ¹ , Gerasimov Evgeny ² , Kosinova Marina ¹

Организации

1	Department of functional materials, Nikolaev Institute of Inorganic Chemistry SB RAS, Novosibirsk, 630090, Russia
2	Department of Catalyst Study, Boreskov Institute of Catalysis SB RAS, Novosibirsk, 630090, Russia
3	Laboratory of Nonequilibrium Semiconductor Systems, Rzhanov Institute of Semiconductor Physics SB RAS, Novosibirsk, 630090, Russia

Ermakova E. , Shayapov V. , Saraev A. , Maximovsky E. , Kirienko V. , Sulyaeva V. , Gerasimov E. , Kosinova M.
Trisylilamine derivative for plasma-assisted fabrication of SiCN:H copper diffusion barrier with reduced value of permittivity
Thin Solid Films. 2026. V.836. 140871 :1-12. DOI: 10.1016/j.tsf.2026.140871

Поступила в редакцию:	2 сент. 2025 г.
Принята к публикации:	20 янв. 2026 г.
Опубликована online:	21 янв. 2026 г.
Опубликована в печати:	15 февр. 2026 г.

Нет идентификаторов

Пока нет цитирований