Sciact
  • EN
  • RU

PECVD Synthesis of Silicon Carbonitride Layers Using Methyltris(diethylamino)silane as the New Single-Source Precursor Научная публикация

Журнал ECS Journal of Solid State Science and Technology
ISSN: 2162-8769 , E-ISSN: 2162-8777
Вых. Данные Год: 2015, Том: 4, Номер: 1, Страницы: N3153-N3163 Страниц : DOI: 10.1149/2.0201501jss
Авторы Fainer N.I. 1 , Plekhanov A.G. 1 , Golubenko A.N. 2 , Rumyantsev Yu.M. 1 , Rakhlin V.I. 3 , Maximovski E.A. 1 , Shayapov V.R. 1
Организации
1 Nikolaev Institute of Inorganic Chemistry SB RAS, Novosibirsk, Russia
2 Novosibirsk State University, Novosibirsk, Russia
3 Irkutsk Favorskii Institute of Chemistry SB RAS, Irkutsk, Russia
Библиографическая ссылка: Fainer N.I. , Plekhanov A.G. , Golubenko A.N. , Rumyantsev Y.M. , Rakhlin V.I. , Maximovski E.A. , Shayapov V.R.
PECVD Synthesis of Silicon Carbonitride Layers Using Methyltris(diethylamino)silane as the New Single-Source Precursor
ECS Journal of Solid State Science and Technology. 2015. Т.4. №1. С.N3153-N3163. DOI: 10.1149/2.0201501jss WOS Scopus РИНЦ OpenAlex
Даты:
Поступила в редакцию: 16 июл. 2014 г.
Опубликована в печати: 25 нояб. 2014 г.
Идентификаторы БД:
Web of science: WOS:000349547900022
Scopus: 2-s2.0-84991660383
РИНЦ: 27579762
OpenAlex: W2121015280
Цитирование в БД:
БД Цитирований
OpenAlex 25
Scopus 25
РИНЦ 26
Альметрики: