ПОЛУЧЕНИЕ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ PECVD СЛОЕВ SICNO:H ИЗ НОВОГО КРЕМНИЙОРГАНИЧЕСКОГО ПРЕДШЕСТВЕННИКА Full article
| Journal |
Химия высоких энергий
ISSN: 0023-1193 |
||
|---|---|---|---|
| Output data | Year: 2026, Volume: 60, Number: 1, Pages: 106-111 Pages count : 6 DOI: 10.7868/S3034608826010143 | ||
| Authors |
|
||
| Affiliations |
|
Funding (1)
| 1 | Russian Science Foundation |
Cite:
Ермакова Е.Н.
, Косинова М.Л.
ПОЛУЧЕНИЕ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ PECVD СЛОЕВ SICNO:H ИЗ НОВОГО КРЕМНИЙОРГАНИЧЕСКОГО ПРЕДШЕСТВЕННИКА
Химия высоких энергий. 2026. Т.60. №1. С.106-111. DOI: 10.7868/S3034608826010143
ПОЛУЧЕНИЕ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ PECVD СЛОЕВ SICNO:H ИЗ НОВОГО КРЕМНИЙОРГАНИЧЕСКОГО ПРЕДШЕСТВЕННИКА
Химия высоких энергий. 2026. Т.60. №1. С.106-111. DOI: 10.7868/S3034608826010143
Translated:
Ermakova E.N.
, Kosinova M.L.
Synthesis of SiCNO:H Dielectric Layers by Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition Using a Novel Organosilicon Precursor
High Energy Chemistry. 2026. V.60. N1. P.129-133. DOI: 10.1134/s0018143925601149 WOS Scopus OpenAlex
Synthesis of SiCNO:H Dielectric Layers by Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition Using a Novel Organosilicon Precursor
High Energy Chemistry. 2026. V.60. N1. P.129-133. DOI: 10.1134/s0018143925601149 WOS Scopus OpenAlex
Dates:
| Submitted: | Aug 26, 2025 |
| Published print: | Jan 30, 2026 |
Identifiers:
No identifiers