ПОЛУЧЕНИЕ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ PECVD СЛОЕВ SICNO:H ИЗ НОВОГО КРЕМНИЙОРГАНИЧЕСКОГО ПРЕДШЕСТВЕННИКА

ПОЛУЧЕНИЕ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ PECVD СЛОЕВ SICNO:H ИЗ НОВОГО КРЕМНИЙОРГАНИЧЕСКОГО ПРЕДШЕСТВЕННИКА Научная публикация

Журнал

Химия высоких энергий
ISSN: 0023-1193

Вых. Данные

Год: 2026, Том: 60, Номер: 1, Страницы: 106-111 Страниц : 6 DOI: 10.7868/S3034608826010143

Авторы

Ермакова Евгения Николаевна ¹ , Косинова Марина Леонидовна ¹

Организации

1	Институт неорганической химии им. А. В. Николаева СО РАН

Информация о финансировании (1)

Российский научный фонд

Ермакова Е.Н. , Косинова М.Л.
ПОЛУЧЕНИЕ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ PECVD СЛОЕВ SICNO:H ИЗ НОВОГО КРЕМНИЙОРГАНИЧЕСКОГО ПРЕДШЕСТВЕННИКА
Химия высоких энергий. 2026. Т.60. №1. С.106-111. DOI: 10.7868/S3034608826010143

Ermakova E.N. , Kosinova M.L.
Synthesis of SiCNO:H Dielectric Layers by Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition Using a Novel Organosilicon Precursor
High Energy Chemistry. 2026. V.60. N1. P.129-133. DOI: 10.1134/s0018143925601149 WOS Scopus OpenAlex

Поступила в редакцию:	26 авг. 2025 г.
Опубликована в печати:	30 янв. 2026 г.

Нет идентификаторов