Synthesis of SiCNO:H Dielectric Layers by Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition Using a Novel Organosilicon Precursor Научная публикация

Журнал	High Energy Chemistry ISSN: 0018-1439 , E-ISSN: 1608-3148
Вых. Данные	Год: 2026, Том: 60, Номер: 1, Страницы: 129-133 Страниц : 5 DOI: 10.1134/s0018143925601149
Авторы	Ermakova E.N. 1 , Kosinova M.L. 1
Организации	1 Nikolaev Institute of Inorganic Chemistry, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, 630090, Novosibirsk, Russia

Информация о финансировании (1)

1

Российский научный фонд