Реферат: Методом импульсного химического осаждения их газовой фазы с использованием летучих металлорганических прекурсоров, получены оксидные пленки ZrO2-HfO2. Показано, что способ организации реакционного пространства оказывает влияние на морфологию, толщину и равномерность получаемого покрытия. Установлено, что при дозировании паров прекурсора и газа-реактанта в реактор через разработанную ранее систему раздельной подачи реакционных компонентов, удается получить оксидное покрытие с толщиной 360 нм. По данным атомно-силовой микроскопии, в этом случае формируется практически гладкая поверхность с параметрами среднеарифметической шероховатости в пределах нескольких нм. Для полученных в работе оксидных покрытий состава ZrO2-HfO2, были изучены вольт-амперные (ВАХ) и вольт-фарадные характеристики (ВФХ). Отмечено, что величина пробивного электрического поля практически не зависит от толщины оксидного покрытия (0.1-0.48 МВсм-1) в интервале 225-325 нм. При увеличении толщины оксидной пленки с 325 до 360 нм, наблюдается рост значения пробивного электрического поля. На основании результатов измерения вольт-фарадных характеристик полученных образцов пленочных покрытий состава ZrO2-HfO2, была определена зависимость величины диэлектрической проницаемости от толщины оксидной пленки. Показано, что величина диэлектрической проницаемости линейно зависит от толщины оксидного покрытия.

Библиографическая ссылка: Шутилов Р.А. , Максимовский Е.А. , Поповецкий П.С. , Корольков И.В. , Гисматулин А.А. , Игуменов И.К.
Процессы формирования покрытий методом импульсного MOCVD в системе ZrO2-HfO2
Журнал структурной химии. 2024. Т.65. №11. 134521 . DOI: 10.26902/JSC_id134521

Даты:

Поступила в редакцию:	15 апр. 2024 г.
Принята к публикации:	25 июн. 2024 г.
Опубликована в печати:	29 нояб. 2024 г.

Идентификаторы БД: Нет идентификаторов

Цитирование в БД: Пока нет цитирований

Альметрики: