Sciact
  • EN
  • RU

Процессы формирования покрытий методом импульсного MOCVD в системе ZrO2-HfO2 Full article

Journal Журнал структурной химии
ISSN: 2542-0976 , E-ISSN: 0136-7463
Output data Year: 2024, Volume: 65, Number: 11, Article number : 134521, Pages count : DOI: 10.26902/JSC_id134521
Tags импульсное-MOCVD; оксиды циркония, гафния; пленочные покрытия; морфология; шероховатость; вольт-амперные характеристики; вольт-фарадные характеристики
Authors Шутилов Р.А. 1 , Максимовский Е.А. 1 , Поповецкий П.С. 1 , Корольков И.В. 1 , Гисматулин А.А. 2 , Игуменов И.К. 1
Affiliations
1 Институт неорганической химии им. А.В. Николаева СО РАН
2 Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН

Abstract: Методом импульсного химического осаждения их газовой фазы с использованием летучих металлорганических прекурсоров, получены оксидные пленки ZrO2-HfO2. Показано, что способ организации реакционного пространства оказывает влияние на морфологию, толщину и равномерность получаемого покрытия. Установлено, что при дозировании паров прекурсора и газа-реактанта в реактор через разработанную ранее систему раздельной подачи реакционных компонентов, удается получить оксидное покрытие с толщиной 360 нм. По данным атомно-силовой микроскопии, в этом случае формируется практически гладкая поверхность с параметрами среднеарифметической шероховатости в пределах нескольких нм. Для полученных в работе оксидных покрытий состава ZrO2-HfO2, были изучены вольт-амперные (ВАХ) и вольт-фарадные характеристики (ВФХ). Отмечено, что величина пробивного электрического поля практически не зависит от толщины оксидного покрытия (0.1-0.48 МВсм-1) в интервале 225-325 нм. При увеличении толщины оксидной пленки с 325 до 360 нм, наблюдается рост значения пробивного электрического поля. На основании результатов измерения вольт-фарадных характеристик полученных образцов пленочных покрытий состава ZrO2-HfO2, была определена зависимость величины диэлектрической проницаемости от толщины оксидной пленки. Показано, что величина диэлектрической проницаемости линейно зависит от толщины оксидного покрытия.
Cite: Шутилов Р.А. , Максимовский Е.А. , Поповецкий П.С. , Корольков И.В. , Гисматулин А.А. , Игуменов И.К.
Процессы формирования покрытий методом импульсного MOCVD в системе ZrO2-HfO2
Журнал структурной химии. 2024. Т.65. №11. 134521 . DOI: 10.26902/JSC_id134521 РИНЦ OpenAlex
Translated: Shutilov R.A. , Maksimovskii E.A. , Popovetskiy P.S. , Korolʹkov I.V. , Гисматулин А.А. , Igumenov I.K.
Processes of Coating Formation by Pulsed MOCVD in the ZrO2–HfO2 System.
Journal of Structural Chemistry. 2024. V.65. N11. P.2135–2142. DOI: 10.1134/S0022476624110027 WOS Scopus РИНЦ OpenAlex
Dates:
Submitted: Apr 15, 2024
Accepted: Jun 25, 2024
Published print: Nov 29, 2024
Identifiers:
Elibrary: 75082079
OpenAlex: W4400057749
Citing: Пока нет цитирований
Altmetrics: