Sciact
  • EN
  • RU

Structural defects in SiCxNyHz films obtained by plasma-enhanced chemical deposition from hexamethyldisilazane vapor Научная публикация

Журнал Journal of Structural Chemistry
ISSN: 1573-8779 , E-ISSN: 0022-4766
Вых. Данные Год: 2015, Том: 56, Номер: 6, Страницы: 1070-1075 Страниц : 6 DOI: 10.1134/S0022476615060074
Авторы Shayapov V.R. 1 , Nadolinnyi V.A. 1 , Kozhemyachenko S.I. 1 , Rumyantsev Yu.M.Rumyantsev 1 , Fainer N.I. 1
Организации
1 Nikolaev Institute of Inorganic Chemistry, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences
Библиографическая ссылка: Shayapov V.R. , Nadolinnyi V.A. , Kozhemyachenko S.I. , Rumyantsev Y.M.R. , Fainer N.I.
Structural defects in SiCxNyHz films obtained by plasma-enhanced chemical deposition from hexamethyldisilazane vapor
Journal of Structural Chemistry. 2015. V.56. N6. P.1070-1075. DOI: 10.1134/S0022476615060074 WOS Scopus РИНЦ OpenAlex
Оригинальная: Шаяпов В.Р. , Надолинный В.А. , Кожемяченко С.И. , Румянцев Ю.М. , Файнер Н.И.
Структурные дефекты в пленках SiCxNyHz, полученных плазмохимическим осаждением из паров гексаметилдисилазана
Журнал структурной химии. 2015. Т.56. №6. С.1123-1128. DOI: 10.15372/JSC20150607 РИНЦ OpenAlex
Идентификаторы БД:
Web of science: WOS:000368734000007
Scopus: 2-s2.0-84955518531
РИНЦ: 26853365
OpenAlex: W2340179152
Цитирование в БД:
БД Цитирований
OpenAlex 1
Web of science 1
Scopus 1
РИНЦ 1
Альметрики: