Структурные дефекты в пленках SiCxNyHz, полученных плазмохимическим осаждением из паров гексаметилдисилазана

Структурные дефекты в пленках SiCxNyHz, полученных плазмохимическим осаждением из паров гексаметилдисилазана Научная публикация

Журнал

Журнал структурной химии
ISSN: 2542-0976 , E-ISSN: 0136-7463

Вых. Данные

Год: 2015, Том: 56, Номер: 6, Страницы: 1123-1128 Страниц : 6 DOI: 10.15372/JSC20150607

Авторы

Шаяпов Владимир Равильевич ¹ , Надолинный Владимир Акимович ¹ , Кожемяченко Сергей Иванович ¹ , Румянцев Юрий Михайлович ¹ , Файнер Надежда Ильинична ¹

Организации

1	Институт неорганической химии им. А. В. Николаева СО РАН

Шаяпов В.Р. , Надолинный В.А. , Кожемяченко С.И. , Румянцев Ю.М. , Файнер Н.И.
Структурные дефекты в пленках SiCxNyHz, полученных плазмохимическим осаждением из паров гексаметилдисилазана
Журнал структурной химии. 2015. Т.56. №6. С.1123-1128. DOI: 10.15372/JSC20150607 РИНЦ OpenAlex

Shayapov V.R. , Nadolinnyi V.A. , Kozhemyachenko S.I. , Rumyantsev Y.M.R. , Fainer N.I.
Structural defects in SiCxNyHz films obtained by plasma-enhanced chemical deposition from hexamethyldisilazane vapor
Journal of Structural Chemistry. 2015. V.56. N6. P.1070-1075. DOI: 10.1134/S0022476615060074 WOS Scopus РИНЦ OpenAlex

Поступила в редакцию:

15 янв. 2015 г.

РИНЦ:	25418524
OpenAlex:	W4252949616

БД	Цитирований
РИНЦ	2