Структурные дефекты в пленках SiCxNyHz, полученных плазмохимическим осаждением из паров гексаметилдисилазана

Структурные дефекты в пленках SiCxNyHz, полученных плазмохимическим осаждением из паров гексаметилдисилазана Full article

Journal

Журнал структурной химии
ISSN: 2542-0976 , E-ISSN: 0136-7463

Output data

Year: 2015, Volume: 56, Number: 6, Pages: 1123-1128 Pages count : 6 DOI: 10.15372/JSC20150607

Authors

Shayapov Vladimir Ravilʹevich ¹ , Nadolinnyi Vladimir Akimovich ¹ , Kozhemyachenko Sergei Ivanovich ¹ , Ru Yu. M. ¹ , Fainer N. I. ¹

Affiliations

1	Институт неорганической химии им. А. В. Николаева СО РАН

Шаяпов В.Р. , Надолинный В.А. , Кожемяченко С.И. , Румянцев Ю.М. , Файнер Н.И.
Структурные дефекты в пленках SiCxNyHz, полученных плазмохимическим осаждением из паров гексаметилдисилазана
Журнал структурной химии. 2015. Т.56. №6. С.1123-1128. DOI: 10.15372/JSC20150607 РИНЦ OpenAlex

Shayapov V.R. , Nadolinnyi V.A. , Kozhemyachenko S.I. , Rumyantsev Y.M.R. , Fainer N.I.
Structural defects in SiCxNyHz films obtained by plasma-enhanced chemical deposition from hexamethyldisilazane vapor
Journal of Structural Chemistry. 2015. V.56. N6. P.1070-1075. DOI: 10.1134/S0022476615060074 WOS Scopus РИНЦ OpenAlex

Submitted:

Jan 15, 2015

Elibrary:	25418524
OpenAlex:	W4252949616

DB	Citing
Elibrary	2