Способ измерения параметров элементарной ячейки кристаллов на установках, использующих 2D-детекторы
Патенты
| Язык: |
Русский |
| Тип: |
Патент на изобретение |
| Номер (11) |
RU 2857482 |
| Номер заявки (21): |
2025128042 |
| Дата подачи заявки (22): |
14 окт. 2025 г. |
| Дата начала отсчета срока действия патента (24): |
14 окт. 2025 г. |
| Дата публикации патента (44,45,46): |
3 мар. 2026 г. |
| Дата публикации заявки (43): |
|
Изобретение относится к области дифрактометрии монокристаллов c использованием рентгеновского и синхротронного излучений. Способ измерения параметров элементарной ячейки кристаллов заключается в том, что применяют устройство для выведения дополнительного детектора в большие углы дифракции, отбирают совершенные кристаллы исследуемого образца и эталона, каждый из них монтируют на собственную гониометрическую головку и центрируют, с помощью основного детектора производят стандартную съемку для определения матрицы ориентации, на дифрактограммах исследуемого образца и эталона выбирают наиболее близкие по угловому положению рефлексы с наибольшими углами дифракции, рассчитывают условия выведения выбранных рефлексов в отражающее положение на экваториальную окружность гониометра, последовательно выводят рефлексы эталона в отражающее положение и фиксируют их дополнительным детектором, уточняют зависимость углового размера пикселя от экваториальной координаты детектора, в соответствии с полученной зависимостью рассчитывают уточненные угловые положения рефлексов исследуемого образца, с их помощью рассчитывают параметры элементарной ячейки исследуемого образца. Технический результат – повышение точности определения параметров элементарной ячейки.