Способ измерения параметров элементарной ячейки кристаллов на установках, использующих 2D-детекторы
Patents
| Language: |
Русский |
| Type: |
Invention |
| Number |
RU 2857482 |
| Request number: |
2025128042 |
| Request date: |
Oct 14, 2025 |
| patent.field.start_date: |
Oct 14, 2025 |
| Registration date: |
Mar 3, 2026 |
| patent.field.request_publication_date: |
|
| Authors |
Громилов Сергей Александрович
,
Серебренникова Полина Сергеевна
|
| Affiliations |
| 1 |
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Новосибирский национальный исследовательский
государственный университет" (Новосибирский государственный университет, НГУ) (RU)
|
|
Изобретение относится к области дифрактометрии монокристаллов c использованием рентгеновского и синхротронного излучений. Способ измерения параметров элементарной ячейки кристаллов заключается в том, что применяют устройство для выведения дополнительного детектора в большие углы дифракции, отбирают совершенные кристаллы исследуемого образца и эталона, каждый из них монтируют на собственную гониометрическую головку и центрируют, с помощью основного детектора производят стандартную съемку для определения матрицы ориентации, на дифрактограммах исследуемого образца и эталона выбирают наиболее близкие по угловому положению рефлексы с наибольшими углами дифракции, рассчитывают условия выведения выбранных рефлексов в отражающее положение на экваториальную окружность гониометра, последовательно выводят рефлексы эталона в отражающее положение и фиксируют их дополнительным детектором, уточняют зависимость углового размера пикселя от экваториальной координаты детектора, в соответствии с полученной зависимостью рассчитывают уточненные угловые положения рефлексов исследуемого образца, с их помощью рассчитывают параметры элементарной ячейки исследуемого образца. Технический результат – повышение точности определения параметров элементарной ячейки.