Термические свойства летучих соединений гафния и скандия для атомно-слоевого осаждения оксидных структур Тезисы доклада
Конференция |
IV Международная конференция “Атомно-Слоевое осаждение: Россия - 2023” 15-18 сент. 2023 , Махачкала |
||
---|---|---|---|
Сборник | IV Международная конференция "Атомно-слоевое осаждение: Россия 2023" (АСО-Россия-2023), Махачкала, Россия, 15-18 сентября 2023 г.: сборник тезисов докладов Сборник, Издательство ДГУ. г. Махачкала, ул. М. Ярагского, 59е.2023. 122 c. ISBN 9785991302791. |
||
Вых. Данные | Год: 2023, Страницы: 94 Страниц : 1 | ||
Авторы |
|
||
Организации |
|
Реферат:
The thermal stability and volatility of tetrakis(ethylmethylamido)hafnium (Hf(NEtMe)4, TEMAH) and tris(methylcyclopentadienyl)scandium (Sc(MeCp)3) were investigated. The decomposition of TEMAH in the condensed phase was shown to be below 0.1% after being held at T=393 K during 28 days. In the case of Sc(MeCp)3, the decomposition reaches ~50% after exposure at 483 K during 7 days. This compound vapor pressures is close to those of non-fluorinated scandium β-diketonates. The results of this study could be useful for the development of ALD processes for obtaining mixed and individual oxide structures.
Библиографическая ссылка:
Петухова Д.Е.
, Афонин М.Ю.
, Сартакова А.В.
, Сысоев С.В.
, Викулова Е.С.
Термические свойства летучих соединений гафния и скандия для атомно-слоевого осаждения оксидных структур
В сборнике IV Международная конференция "Атомно-слоевое осаждение: Россия 2023" (АСО-Россия-2023), Махачкала, Россия, 15-18 сентября 2023 г.: сборник тезисов докладов. – Издательство ДГУ., 2023. – C.94. – ISBN 9785991302791.
Термические свойства летучих соединений гафния и скандия для атомно-слоевого осаждения оксидных структур
В сборнике IV Международная конференция "Атомно-слоевое осаждение: Россия 2023" (АСО-Россия-2023), Махачкала, Россия, 15-18 сентября 2023 г.: сборник тезисов докладов. – Издательство ДГУ., 2023. – C.94. – ISBN 9785991302791.
Идентификаторы БД:
Нет идентификаторов
Цитирование в БД:
Пока нет цитирований