Low dislocation density germanium crystal growth by modified heat exchange method Научная публикация

Журнал	Materials Science And Engineering: B ISSN: 0921-5107 , E-ISSN: 1873-4944
Вых. Данные	Год: 2025, Том: 321, Номер статьи : 118534, Страниц : 6 DOI: 10.1016/j.mseb.2025.118534
Ключевые слова	Crystal growth, Simiconductors, Germanium
Авторы	Kurus A.F. 1,2,3 , Shlegel V.N. 1 , Isaenko L.I. 2,3
Организации	1 Nikolaev Institute of Inorganic Chemistry SB RAS, 3 Lavrentyev ave., Novosibirsk 630090, Russia 2 Sobolev Institute of Geology and Mineralogy SB RAS, 3 Kopyug ave., Novosibirsk 630090, Russia 3 Novosibirsk State University, 2 Pirogov str., Novosibirsk 630090, Russia