Реферат: Синтез тонких пленок гидрогенизированного карбида SiCx:H и карбонитрида SiCxNy:H кремния осуществлялся в реакторе с индуктивно-связанной плазмой ВЧ разряда с использованием паров тетраметилсилана и дополнительных газов аргона и/или азота. Процесс проводился при различных температурах синтеза, мощностях плазмы и парциальном давлении тетраметилсилана и дополнительных газов в реакторе. Получены зависимости скорости роста, химического состава пленок, а также некоторых их свойств: коэффициента пропускания света, показателя преломления, оптической ширины запрещенной зоны, коэффициента диэлектрической проницаемости - от условий синтеза. Характерной особенностью исследуемого процесса является слабая зависимость состава и свойств пленок от задаваемых условий их синтеза в изученном интервале условий. Рассмотрены возможные причины этого явления с учетом особенностей процесса ICP CVD и результатов проведенного исследования in situ состава газовой фазы в плазме.

Библиографическая ссылка: Румянцев Ю.М. , Чагин М.Н. , Шаяпов В.Р. , Юшина И.В. , Кичай В.Н. , Косинова М.Л.
СИНТЕЗ И СВОЙСТВА ПЛЕНОК, ОБРАЗУЮЩИХСЯ ИЗ ПАРОВ ТЕТРАМЕТИЛСИЛАНА В ИНДУКТИВНО-СВЯЗАННОЙ ПЛАЗМЕ ВЧ РАЗРЯДА
Физика и химия стекла. 2018. Т.44. №3. С.223-234.

Переводная: Rumyantsev Y.M. , Chagin M.N. , Shayapov V.R. , Yushina I.V. , Kichai V.N. , Kosinova M.L.
Synthesis and Properties of Thin Films Formed by Vapor Deposition from Tetramethylsilane in a Radio-Frequency Inductively Coupled Plasma Discharge
Glass Physics and Chemistry. 2018. V.44. N3. P.174-182. DOI: 10.1134/S1087659618030124 WOS Scopus OpenAlex

Даты:

Поступила в редакцию:

16 окт. 2017 г.

Идентификаторы БД: Нет идентификаторов

Цитирование в БД: Пока нет цитирований