Et3GeN(SiМе3)2 И Et3SnN(SiМе3)2 – НОВЫЕ ИСХОДНЫЕ ВЕЩЕСТВА ДЛЯ ПРОЦЕССОВ ГАЗОФАЗНОГО ХИМИЧЕСКОГО ОСАЖДЕНИЯ

Et3GeN(SiМе3)2 И Et3SnN(SiМе3)2 – НОВЫЕ ИСХОДНЫЕ ВЕЩЕСТВА ДЛЯ ПРОЦЕССОВ ГАЗОФАЗНОГО ХИМИЧЕСКОГО ОСАЖДЕНИЯ Научная публикация

Журнал

Неорганические материалы
ISSN: 0002-337X

Вых. Данные

Год: 2013, Том: 49, Номер: 4, Страницы: 376-380 Страниц : 5 DOI: 10.7868/s0002337x13040179

Авторы

Сысоев С.В. ¹ , Никулина Л.Д. ¹ , Ермакова Е.Н. ¹ , Косинова М.Л. ¹ , Рахлин В.И. ² , Цырендоржиева И.П. ² , Лис А.В. ² , Воронков М.Г. ²

Организации

1	Институт неорганической химии им. А.В. Николаева СО Российской академии наук
2	Иркутский институт химии им. А.Е. Фаворского СО Российской академии наук

Синтезированы содержащие германий и олово кремнийорганические соединения Et3GeN(SiМе3)2 и Et3SnN(SiМе3)2 новые исходные вещества для получения материалов осаждением из газовой фазы. Проведена комплексная характеризация этих веществ. Соединения исследованы методами ЯМР-, ИК-, УФ-спектроскопии, а также методом комплексного термического анализа. Тензиметрическими методами получены температурные зависимости давления насыщенного пара. Изучена термическая устойчивость и рассчитаны термодинамические характеристики процессов испарения кремнийорганических соединений.

Сысоев С.В. , Никулина Л.Д. , Ермакова Е.Н. , Косинова М.Л. , Рахлин В.И. , Цырендоржиева И.П. , Лис А.В. , Воронков М.Г.
Et3GeN(SiМе3)2 И Et3SnN(SiМе3)2 – НОВЫЕ ИСХОДНЫЕ ВЕЩЕСТВА ДЛЯ ПРОЦЕССОВ ГАЗОФАЗНОГО ХИМИЧЕСКОГО ОСАЖДЕНИЯ
Неорганические материалы. 2013. Т.49. №4. С.376-380. DOI: 10.7868/s0002337x13040179 РИНЦ OpenAlex

Поступила в редакцию:

6 июл. 2012 г.

РИНЦ:	18821827
OpenAlex:	W2314446507

БД	Цитирований
РИНЦ	2