Реферат: CsCeSiS4 thiosilicate single crystals were obtained by high-temperature flux synthesis. The absorption spectrum in the region of 450 nm is formed by f-> d transitions in the Ce3+ ion. The nonelementary 5d-> 4f band of Ce3+ ion emission is observed in the photo- and X-ray excited luminescence spectra in the region of 520 nm at temperatures of 5-330 K. The inertialess luminescence decay kinetics upon excitation by X-ray synchrotron radiation is characterized by a dominant component with a decay time tau=0.88 ns. The luminescence of Ce3+ ions is efficiently excited by the intracenter way or due to the recombination of band charge carriers. Keywords: Ce3+ ion, luminescence decay kinetics, interconfigurational transitions, synchrotron radiation.

Библиографическая ссылка: Pustovarov V.A. , Tavrunov D.A. , Tarasenko M.S. , Naumov N.G.
Anomalous fast luminescence of CsCeSiS4 thiosilicate
Technical Physics Letters. 2024. V.50. N2. P.1-4. DOI: 10.61011/PJTF.2024.03.57035.19714

Оригинальная: Пустоваров В.А. , Таврунов Д.А. , Тарасенко М.С. , Наумов Н.Г.
Аномально быстрая люминесценция тиосиликата CsСеSiS4
Письма в журнал технической физики. 2024. Т.50. №3. С.3-6. РИНЦ

Даты:

Поступила в редакцию:	30 авг. 2023 г.
Принята к публикации:	2 нояб. 2023 г.
Опубликована online:	13 янв. 2024 г.
Опубликована в печати:	1 февр. 2024 г.

Идентификаторы БД: Нет идентификаторов

Цитирование в БД: Пока нет цитирований

Альметрики: