Реферат: Разработаны физико-химические основы технологий получения линейки из востребованных летучих высокочистых металлоорганических соединений (МОС) гафния, циркония, титана, тантала, рутения, меди и кобальта для осаждения функциональных слоев для микроэлектроники. Оптимизированы методики синтеза соединений (партии до 20 г) из отечественного сырья стандартной квалификации. Разработан комплекс аналитических методик контроля не менее 58 примесных элементов, подтвердивший достижение электронного уровня чистоты веществ (5N–6N). На основании исследования термических свойств сформулированы рекомендации по режимам осаждения, которые успешно верифицированы на лабораторной ALD-установке и в технологических условиях АО «НИИМЭ» при получении слоев ZrO2, HfO2 и TiN.

Библиографическая ссылка: Викулова Е.С. , Доровских С.И. , Савков Б.Ю. , Волчек В.В. , Ильин И.Ю. , Ильдяков А.В. , Резванов А.А. , Морозова Н.Б.
Высокочистые металлорганические соединения для осаждения диэлектрических и проводящих слоев
Школа молодых учёных в рамках Российского форума «Микроэлектроника-2026» 21-29 сент. 2026