Abstract: Разработка технологии получения высокочистого металлического висмута (99,9999 масс. %). Востребованность материала: - Синтез высокочистого оксида висмута (Bi2O3), применяемого при выращивании кристаллов ортогерманата висмута (Bi4Ge3O12, BGO), используемого в качестве сцинтилляционных детекторов ионизирующего излучения, применяющихся в ядерной физике, физике высоких энергий, компьютерной томографии, геологии, в устройствах контроля скрытых объектов. - Производство термоэлектрических материалов для термоэлектрогенераторов и охлаждающих систем, термодатчиков (Bi2Te3 , Bi2Se3 Bi0.5Se1.5Te3, CsBi4Te6). Разработана лабораторная технология получения материала. Получена экспериментальная партия высокочистого висмута в количестве 10 кг. Разработана «Методика измерений массовой доли примесных элементов и висмута в висмуте металлическом особо чистом методами масс-спектрометрии и атомно-эмиссионной спектрометрии с индуктивно связанной плазмой». Методика готовится к аттестации в сертифицированном центре.

Cite: Шубин Ю.В.
Технология получения высокочистого металлического висмута
Научно-техническая отраслевая конференция Союзного государства «Электронное машиностроение – 2025» 10-11 июн. 2025