Abstract: Атомно-слоевое осаждение (ALD, Atomic Layer Deposition) — наиболее прецизионная технология осаждения тонких плёнок, основанная на использовании газофазного химического процесса. Его химическая составляющая заключается в последовательности самограничивающихся поверхностных реакций между хемосорбированными молекулами металлорганического прекурсора (прекурсор A) и реакционного газа (прекурсор В), приводящих к росту монослоя. Это обуславливает максимальные уровни контроля толщины и конформности покрытия в рамках последовательных циклов осаждения (рис. 1), в том числе, на носителях сложной геометрии (пористые материалы, каналы, трехмерные структуры) [1]. Эта специфика делает ALD одним из ключевых методов для микроэлектроники [2]: например, для производства современной компонентной базы устройств (транзисторов, интегральных микросхем, новых элементов памяти), которое ориентировано на минимизацию структурных элементов и усложнении рельефа архитектур. Эффективность ALD процесса зависит от используемого металлорганического прекурсора, его чистоты и термохимических свойств: летучести, стабильности в конденсированной и газовой фазах, и путях распада его паров, сведения о которых позволяют оптимизировать условия осаждения. В настоящей работе представлены особенности, возможности и основные направления развития метода ALD, а также новейшие разработки ИНХ СО РАН в области получения и исследования термохимических свойств высокочистых прекурсоров Hf, Zr, Ti, Ta, Ru, Co как ключевых компонентов оксидных и металлических слоев для микроэлектроники. Работа выполнена при поддержке Министерства образования и науки РФ в рамках государственного задания ИНХ СО РАН (125040404830-7)

Cite: Доровских С.И. , Викулова Е.С.
Атомно-слоевое осаждение: от прекурсора к практическому приложению
Школа молодых ученых «Актуальные проблемы полупроводниковых наносистем» 29-29 окт. 2025