Abstract: Технологии изготовления ряда ключевых компонентов современной микроэлектроники (микропроцессоров с уменьшенными проектными нормами, новых типов элементов энергонезависимой памяти) требуют материальной базы высокочистых веществ (5-6N), включая летучие металлорганические соединения (МОС). Отечественная линейка таких МОС, как правило, ограничена и/или не гарантирует необходимой чистоты. С целью разработки научных основ для решения этой задачи, в 2022 г на базе ИНХ СО РАН создана специализированная молодежная лаборатория, индустриальным партнёром которой выступил АО «НИИМЭ». В докладе будут представлены результаты исследований по разработке методик синтеза наиболее востребованных высокочистых МОС для осаждения диэлектрических слоев (MO2, M = Ti, Zr, Hf) и металлизации (Cu, Ru, Co): циклопентадиенильных и/или амидных производных (CpM(NMe2)3, M = Hf, Zr; M(NMe2)4 = Ti, Zr; Hf(NMeEt)4; Ru(EtCp)2; CpCo(CO)2) и ацетилацетоната меди (Cu(acac)2). Разработаны информативные и экспрессные методики атомно-эмиссионного и масс-спектрального анализа с индуктивно связанной плазмой, позволяющие определять примеси не менее 58 элементов в МОС на уровне чистоты 5-6N. Анализ литературных и собственных данных по термическим свойствам МОС позволил выявить граничные температур осаждения и парообразования. Получены лабораторные партии рассматриваемых МОС (20 г) чистоты ≥ 5N, ряд которых протестирован на базе АО «НИИМЭ» в процессах получения тонкопленочных материалов методом атомно-слоевого осаждения. Показано, что ростовые характеристики для пленок, получаемых из разработанных прекурсоров, соответствуют зарубежным коммерческим продуктам.

Cite: Викулова Е.С. , Резванов А.А.
Высокочистые металлорганические соединения и их применение для осаждения материалов микроэлектроники
Совместное заседание "Материалы для микро- и радиоэлектроники: текущее состояние, проблемы и перспективы" трех Советов 02-02 июл. 2025