Abstract: В зависимости от условий фторирования может быть получен фторированных графит сразным содержанием фтора. Строение полностью фторированнного графита состава CF хорошо известно. Частично фторированный графит может быть получен при фторировании графита в парах BrF3 при комнатной температуре. Нами разработана методика синтеза нестехиометрического фторида графита C2Fx (0 <x <1) с заданным содержанием фтора. В соединениях C2F атомы фтора образуют ковалентные связи с половиной атомов углерода графенового слоя, а не фторированный углерод представлен сопряженными углеродными цепочками [1]. При понижении содержания фтора образуются области сопряженных гексагонов, размер которых зависит от степени фторирования [2]. Измерения электронной структуры C2Fx проводилось методами РФЭС, NEXAFS, рамановской и оптической спектроскопии. Оптические спектры поглощения и люминесценции зависят от размера сопряженных областей, разделенных фторуглеродными цепочками [3]. Нами проведено измерение электропроводимости полученных мат

Cite: Окотруб А.В. , Булушева Л.Г.
Электронные и оптические свойства частично фторированного графена и графита
Молодежная конференция по физике полупроводников «Зимняя школа 2024» 29 февр. - 4 мар. 2024