Abstract: В данной работе представлены результаты разработки подхода по формированию одиночных нанокристаллов диоксида ванадия М1-фазы и наноструктур на их основе из аморфных пленок, синтезированных методом атомно-слоевого осаждения. Сформированы аморфные наноструктуры с различными латеральными размерами с помощью окислительной сканирующей зондовой литографии. Последующая кристаллизация аморфных участков производилась путем отжига при температуре 650 °C. Установлена взаимосвязь между исходными геометрическими размерами наноструктурированных аморфных островков и числом сформированных кристаллов диоксида ванадия, полученных в результате отжига. Определены оптимальные размеры аморфных островков, при которых формируется один нанокристалл VO2. Получены структуры в форме колец, состоящие из одиночных нанокристаллов, размеры которых составили 50 нм латерально и 10 нм в высоту. Анализ спектров комбинационного рассеяния света, а также вольтамперные характеристики нанокристаллов, измеренные при разных температурах продемонстрировали, что сформированные кристаллы соответствуют кристаллической VO2 М1-фазе и имеют выраженный температурный фазовый переход полупроводник-металл. Предложенный способ позволяет формировать структуры и устройства на основе нанокристаллов диоксида ванадия, перспективные для нанофотоники и наноэлектроники нового поколения.

Cite: Манцуров Н.Д. , Мутилин С.В. , Комонов А.И. , Волошин Б.В. , Кичай В.Н. , Яковкина Л.В. , Селезнев В.А.
Метод получения одиночных нанокристаллов диоксида ванадия на подложке проводящего кремния
Журнал технической физики. 2006. Т.96. №9. С.1827-1835. DOI: 10.61011/JTF.2026.09.63500.116-26

Dates:

Submitted:	Apr 27, 2026
Accepted:	Apr 27, 2026
Published print:	Sep 25, 2026

Identifiers: No identifiers

Altmetrics: