Abstract: Пленки оксида тербия получены на подложках Si (111) разложением паров Tb(dpm)3 в токе аргона при температурах Tb(dpm)3 170 и 190°C и температурах подложек 470–550°C. Отжиг пленок проводили на воздухе при температурах 400, 650 и 800°C. Методом РФА установлено, что пленки, полученные методом химического осаждения из газовой фазы, состоят из кубического оксида Tb2O3, пленки, отожженные на воздухе при 650 и 800°C, имеют структуру оксида Tb4O7, при 400°C – структуру Tb11O20. Согласно данным РФЭС, поверхностный слой пленки Tb2O3 толщиной 9 нм имеет правильное отношение O : Tb = 1.48, а у пленки, отожженной при 800°C, O : Tb = 1.85. По данным КР-спектроскопии, концентрация углеродсодержащих фрагментов на поверхности пленок уменьшается с понижением температуры подложки, а отжиг при 800°C на воздухе позволяет полностью от них избавиться.

Cite: Белая С.В. , Баковец В.В. , Боронин А.И. , Кощеев С.В. , Лобзарева М.Н. , Корольков И.В. , Стабников П.А.
Пленки оксидов тербия, полученные химическим осаждением из паров трис-дипивалоилметаната тербия
Неорганические материалы. 2014. Т.50. №4. С.410-417. DOI: 10.7868/S0002337X14040034 РИНЦ OpenAlex

Dates:

Submitted:

Aug 16, 2013

Identifiers:

Elibrary:	21258910
OpenAlex:	W2333333370

Citing:

DB	Citing
Elibrary	4

Altmetrics: