Abstract: Определены кристаллические структуры и установлены целочисленные стехиометрические соотношения двух полисульфидных фаз HoS1,885(5) (I) и HoS1,863(8) (II) как Ho8S15. Экспериментальный набор интенсивностей получен на автоматическом дифрактометре Enraf Nonius CAD-4 по стандартной методике (МоKα, графитовый монохроматор, учет поглощения по кривым пропускания при азимутальном сканировании рефлексов). Кристалл I: пр.гр. P4/nmm, a = 3,820(1), c = 7,840(3) Å, V = 114,40(6) Å3, Z = 2 состава HoS1,885(5), dвыч = 6,542 г/см3, R = 0,0520 для 184 Ihkl > 2σI независимых отражений; кристалл II:. пр.гр. P21/m, a = 10,961(2), b = 11,465(2), c = 10,984(2) Å, β = 91,27(3)°, V = 1380,0(4) Å3, Z = 24 состава HoS1,863(8), dвыч = 6,486 г/см3, R = 0,0596 для 5354 Ihkl > 2σI независимых отражений. Координационное окружение Но в обоих соединениях составляют 9 (для трех атомов в II 8 + 1) атомов S, образующих квадратные одношапочные антипризмы. Расстояния Но—S независимо от типа иона S2– или (S2)2– меняются в пределах 2,717—3,067 Å, максимальное расстояние до дополняющих координацию атомов 3,684 Å. Структуры относятся к структурному типу PbFCl и построены из пакетов слоев …(S2)2–…Ho3+…S2–…S2–…Ho3+…(S2)2–…, по-разному ориентированных в пространстве относительно осей элементарных ячеек. Межслоевые расстояния S2–…S2– и S2–…(S2)2– в большинстве укорочены в сравнении с суммой ионных радиусов и меняются в пределах 3,331—3,558 и 3,029—3,784 Å для первого и второго типов соответственно. Для I приводятся расчетные значения факторов занятости позиции и плотности в зависимости от состава HoS2–x (x = 0,25—0), для II — наиболее вероятные формулы рациональных составов в этом же интервале изменений х.

Cite: Подберезская Н.В. , Первухина Н.В. , Белая С.В. , Васильева И.Г. , Борисов С.В.
КРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ СТРУКТУРЫ ДВУХ НОВЫХ ПОЛИСУЛЬФИДОВ ГОЛЬМИЯ В РЯДУ РОДСТВЕННЫХ ПОЛИХАЛЬКОГЕНИДОВ РЗЭ
Журнал структурной химии. 2001. Т.42. №4. С.741-752.

Dates:

Submitted:

Mar 23, 2000

Identifiers: No identifiers

Citing: Пока нет цитирований